Диссертация

Иванова Александра Сергеевна

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение o выдаче диплома
  
Положительное заключение AK
  
Ha рассмотрении в AK
  
Положительная защита
11.11.2025 
Объявление опубликовано
30.10.2025 
Принят к защите
29.10.2025 
Заключение комиссии
09.10.2025 
Документы приняты
ФИО соискателя
Иванова Александра Сергеевна
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
18.12.2025 15:20
Место проведения защиты
119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 8, криогенный корпус, конференц-зал
Научные руководители
Ховайло Владимир Васильевич
Доктор наук Доцент
Оппоненты
Кульбачинский Владимир Анатольевич
Доктор наук Профессор
Дорохин Михаил Владимирович
Доктор наук Доцент
Штерн Максим Юрьевич
Доктор наук
Места выполнения работы
Национальный исследовательский технологический университет \"МИСИС\", Институт новых материалов, кафедра функциональных наносистем и высокотемпературных материалов
Специальности
1.3.11. Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-18-47

Диссертация посвящена исследованию термоэлектрических свойств скуттерудитов и гибридных Sn-перовскитов. Работа направлена на установление взаимосвязей между составом, микроструктурой и физико-химическими характеристиками этих материалов, а также на поиск путей повышения их эффективности.

Объектом исследования являются скуттерудиты состава InₓGaᵧCo₄Sb₁₂₋+δTe и гибридные перовскиты Cs₁₋ₓMAₓSnI₃. Показано, что варьирование условий синтеза и состава приводит к формированию микроструктурных включений (InSb и др.) в скуттерудитах, которые существенно влияют на теплопроводность и электротранспортные свойства материалов. Установлено, что мультилегирование элементами p-блока (In, Ga, Te) позволяет снизить теплопроводность и оптимизировать концентрацию носителей, обеспечивая повышение термоэлектрической добротности.

Для гибридных Sn-перовскитов Cs₁₋ₓMAₓSnI₃ разработан низкотемпературный метод синтеза, обеспечивающий сохранение валентного состояния Sn²⁺ и повышенную стабильность перовскитной фазы. Экспериментально установлено, что термоэлектрическая добротность образцов MASnI₃ достигает значения порядка zT ≈ 0,10 при 423 К. Результаты работы вносят вклад в развитие физики и химии термоэлектрических материалов и могут быть использованы при проектировании новых эффективных соединений для генераторов и холодильников различного температурного диапазона.