Диссертация

Тема диссертации

Механизмы проводимости и фотоэлектрические эффекты в композитных структурах на основе полупроводниковых оксидов с фотосенсибилизаторами

ФИО соискателя

Крылов Иван Владимирович

Степень на присвоение

Кандидат наук

Приказ о выдаче диплома

№ 1487 от 02.12.2019

Дата защиты

20.06.2019

Научный руководитель

Хохлов Дмитрий Ремович
Член - корреспондент РАН Доктор наук Профессор
Дроздов Константин Андреевич
Кандидат наук

Оппоненты

Аронзон Борис Аронович
Доктор наук
Васильевский Иван Сергеевич
Доктор наук
Кузнецова Татьяна Александровна
Кандидат наук

Специальность

01.04.10 Физика полупроводников
физико-математические науки

Диссертационный совет

МГУ.013.5

Телефон совета

+7 495 939-18-47

Диссертация посвящена исследованию транспортных, оптических и фотоэлектрических свойств композитных структур на основе нанокристаллических полупроводниковых оксидов ZnO, SnO2, In2O3 с различными фотосенсибилизаторами. В качестве фотосенсибилизаторов были выбраны коллоидные нанокристаллы CdSe и металлорганические комплексы Ru(II). Рассматривалось влияние легирования на спектральные зависимости на примере In2O3(Sn).

#	Название	Размер

Диссертация

Крылов Иван Владимирович

Кандидат наук

Статус диссертации

Механизмы проводимости и фотоэлектрические эффекты в композитных структурах на основе полупроводниковых оксидов с фотосенсибилизаторами