Диссертация

Диссертационная работа посвящена получению и исследованию сверхпроводящих пленок FeSe0.5Te0.5 при низких температурах. Пленки изготовлены методом импульсно-лазерного осаждения на аморфных диэлектрических подложках без буферных слоев. Разработан воспроизводимый режим осаждения на боросиликатное стекло K-208 с добавкой 3% CeO2 и определены физические характеристики полученных пленок при низких температурах, включая исследования структурных и морфологических свойств, а также измерения (R(T,H), вольт-амперных характеристик) в магнитных полях. Показано, что пленки демонстрируют устойчивое сверхпроводящее состояние с критической температурой близкой к 9.5 K и высокими критическими параметрами: верхнее критическое поле при температурах близких к нулю оценивается как 68 Тл при поле вдоль кристаллографических плоскостей пленки и 51 Тл при поле перпендикулярно плоскостям, анизотропия около 1.3, критическая плотность тока достигает (5 ÷ 6)×104 А/см2 при 2 K. Анализ вихревой динамики в рамках термоактивационного переноса (TAFF) позволил оценить энергию активации вихрей и поле необратимости и показал доминирование коррелированного пиннинга на протяженных (планарных) дефектах. Обнаружены признаки квазидвумерного поведения и перехода Березинского–Костерлица–Таулеса при температуре около 7 K, что связывается с наличием у интерфейса слоя толщиной менее 40 нм с измененной стехиометрией, уменьшающего эффективную сверхпроводящую толщину и понижающего Tc относительно мишени. Полученные результаты подтверждают перспективность безбуферного формирования таких пленок на аморфных подложках для создания сверхпроводящих элементов и развития упрощенных технологических схем.