Диссертация

Абдрахманов Данил Ирекович

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение o выдаче диплома
  
Положительное заключение AK
  
Ha рассмотрении в AK
25.12.2025 
Положительная защита
05.11.2025 
Объявление опубликовано
29.10.2025 
Принят к защите
27.10.2025 
Заключение комиссии
25.10.2025 
Документы приняты
ФИО соискателя
Абдрахманов Данил Ирекович
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
25.12.2025 14:00
Место проведения защиты
119991, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, МГУ, дом 1, стр. 2, физический факультет, ауд. Н-16
Научные руководители
Шарафуллин Ильдус Фанисович
Доктор наук Доцент
Оппоненты
Кузьмин Дмитрий Александрович
Доктор наук
Рамазанов Магомедшейх Курбанович
Кандидат наук
Устинов Алексей Борисович
Доктор наук Профессор
Места выполнения работы
Уфимский университет науки и технологий, кафедра теоретической физики
Специальности
1.3.3. Теоретическая физика
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-14-89
Интернет-адрес объявления на федеральном информационном портале

Диссертационная работа посвящена разработке и исследованию моделей магнитных и магнитоэлектрических пленок, а так же влияния дефектов на формирование скирмионов в основном состоянии. В ходе исследования были изучены спиновые конфигурации основного состояния в зависимости от параметров конкурирующих взаимодействий. Определены условия, при которых образуются как отдельные скирмионы, так и фаза скирмионной решетки. Результаты моделирования основного состояния с учетом структурного дефекта показывают, что наличие дефекта способствует образованию скирмионов в области под дефектом. Дефект способствует локальному ослаблению вклада со стороны внешнего магнитного поля для ферромагнитного бислоя и магнитоэлектрического взаимодействия для магнитоэлектрического бислоя, что приводит к образованию скирмионов, при определённых параметрах конкурирующих взаимодействий в области, ограниченной под дефектом. Такой механизм может лежать в основе способа локализации одиночных скирмионов.