Диссертация

Диссертация посвящена разработке и обоснованию нового экспериментального подхода к измерению абсолютных величин сечений поглощения и получению из них фундаментальных параметров – сил осцилляторов рентгеновских переходов в УМР-области спектра. Данный подход позволяет методом полного электронного выхода с корректным учетом немонохроматического фона и аппаратурных искажений определять силы осцилляторов рентгеновских переходов в области NEXAFS 1s-края поглощения атома углерода в наноструктурированных средах с использованием синхротронного излучения. С применением разработанного подхода были исследованы следующие наноструктурированные материалы: моноатомные углеродные соединения, являющихся нанообразущими – высокоориентированный пиролитический графит (HOPG), многостенные углеродные нанотрубки (MWCNT) и фуллерит C60; нанокомпозитные материалы на основе MWCNT с покрытиями из пиролитического Cr и Fe, нанесенными методами химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD); биополимеры – хитин и бактериальная и растительная целлюлозы; органические образцы, выделенные из средиземноморского коралла Parantipathes larix и пресноводных губок Spongilla lacustris и Lubomirskia baicalensis. Измеренные в работе спектральные зависимости сечений поглощения и распределения сил осцилляторов наноструктурированных углеродных материалов могут быть использованы при интерпретации данных получаемых резонансными методами исследования и для расчета дисперсии их коэффициентов преломления в области резонансного фотопоглощения. Исследования наноструктур на основе MWCNT/(пиролитический Cr и Fe) позволяют установить механизмы адгезии покрывающего слоя к химически инертной поверхности MWCNT, а также оценить химический состав и эффективную толщину покрытия. Полученные данные по спектральным зависимостям сечений поглощения и их параметрам в области NEXAFS C1s-спектров поглощения биополимеров хитина и целлюлозы востребованы при идентификации их наличия в составе биологических организмов, а также при характеризации электронного строения производных материалов на их основе.