Диссертация

Лукьянцев Денис Сергеевич

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
  
На рассмотрении в АК
  
Положительная защита
  
Объявление опубликовано
26.12.2024 
Принят к защите
23.12.2024 
Заключение комиссии
27.11.2024 
Документы приняты
Тема диссертации

Метод контролируемого формирования наноструктурированных металл-оксидных пленок

ФИО соискателя
Лукьянцев Денис Сергеевич
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата защиты
06.03.2025
Место проведения защиты
Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2, Физический факультет МГУ
Научный руководитель
Лубенченко Александр Владимирович
Доктор наук
Оппоненты
Крупенин Владимир Александрович
Доктор наук
Новодворский Олег Алексеевич
Доктор наук Профессор
Шерстюк Наталия Эдуардовна
Доктор наук Доцент
Место выполнения работы
Национальный исследовательский университет «МЭИ», кафедра общей физики и ядерного синтеза
Специальность
1.3.5. Физическая электроника
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-25-47

Работа посвящена разработке метода формирования наноструктурированных металл-оксидных пленок с in situ контролем их химического послойного фазового состава с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). В работе предложен многоэтапный алгоритм послойного химического фазового анализа металл-оксидных ультратонких пленок, основанный на модели мишени с плоскопараллельными слоями, с помощью метода РФЭС с угловым разрешением. Определена функция фотоэлектронной эмиссии от многослойных многокомпонентных мишеней с различными по форме наноструктурированными неоднородностями на их поверхности. Предложен метод определения послойного химического фазового состава неоднородных пленок с наноразмерной шероховатой поверхностью, который позволяет определить не только фазовый профиль мишени, но и средние размерные параметры шероховатости пленки. Также предложен метод контролируемого формирования наноструктурированных металл-оксидных пленок, основанный на чередовании различных режимов слаботочного облучения ионами аргона и кратковременного окисления, который позволяет создавать неоднородные многослойные пленки с известным химическим фазовым составом по глубине