Диссертация

Умедов Шодруз Турабекович

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
  
На рассмотрении в АК
  
Положительная защита
  
Объявление опубликовано
20.12.2024 
Принят к защите
18.12.2024 
Заключение комиссии
16.12.2024 
Документы приняты
Тема диссертации

Синтез и оптические свойства материалов на основе иодостаннатов (IV)

ФИО соискателя
Умедов Шодруз Турабекович
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
28.03.2025 15:00
Место проведения защиты
119991, г. Москва, ул. Ленинские горы, д. 1, строение 3, химический факультет, аудитория 446.
Научный руководитель
Григорьева Анастасия Вадимовна
Кандидат наук
Оппоненты
Еремин Николай Николаевич
Член - корреспондент РАН Доктор наук Доцент
Козюхин Сергей Александрович
Доктор наук Доцент
Фролова Любовь Анатольевна
Кандидат наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Факультет наук о материалах, Кафедра наноматериалов
Специальность
1.4.15. Химия твердого тела
химические науки
Диссертационный совет
МГУ.014.8
Телефон совета
+7 495 939-46-09

Целью работы является установление корреляции «состав-структура-свойства» для группы неорганических и органо-неорганических иодостаннатов(IV) общего состава [Cs1-xAx]2SnI6 (А = Rb+, Ag+, K+, MA+, DМA+ и др., х = 0 – 1) и фаз составов Cs2Sn1-xBxI6-x, (В = Sb, In, Ga, x = 0 - 1). Исследована возможность изовалентного замещения Сs+ катионами Rb+, К+ и Ag+, которая приводит к изменению микроструктуры, параметра элементарной ячейки и ширины запрещенной зоны. Впервые синтезированы и охарактеризованы новые иодостаннаты(IV) с органическими катионами: DMA2SnI6, TMA2SnI6, TETMASnI5, EA2SnI6, DEA2SnI6, TEA2SnI6. Впервые изучено влияние гетеровалентного замещения Sn4+ в Cs2SnI6 на микроструктуру, состав и оптические свойства. Показано появление нового максимума поглощения в «красную область» спектра с ростом содержания Sb в составе Cs2Sn1-xSbxI6-x и уменьшение концентрации дефектов Cs2SnI6 с ростом содержания Ga/In в составах Cs2Sn1-x[In/Ga]xI6-x. Предложен новый подход для получения фазы CsSnI3 из производного Cs2SnI6 методом контролируемого восстановления Sn4+ до Sn2+ металлическим галлием при Т = 300°С.