Диссертация

Кульчу Александр Николаевич

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
  
На рассмотрении в АК
20.12.2024 
Положительная защита
15.11.2024 
Объявление опубликовано
08.11.2024 
Принят к защите
06.11.2024 
Заключение комиссии
29.10.2024 
Документы приняты
ФИО соискателя
Кульчу Александр Николаевич
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
20.12.2024 15:00
Место проведения защиты
119991, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 3, ГСП-1, МГУ, химический факультет, ауд. 446
Научный руководитель
Шевельков Андрей Владимирович
Член - корреспондент РАН Доктор наук Профессор
Оппоненты
Пресняков Игорь Александрович
Доктор наук
Кискин Михаил Александрович
Доктор наук
Турсина Анна Ильинична
Кандидат наук Доцент
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Химический факультет, Кафедра неорганической химии
Специальность
1.4.15. Химия твердого тела
химические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-46-09

Целью работы являлись синтез и изучение фаз внедрения RTδ(Ga,Ge)3 на основе кубической структуры RGa3, где R = Sm, Gd-Dy, а T = Cr, Mn и установление взаимосвязей между составом, кристаллической структурой и магнитными свойствами полученных интерметаллидов. В работе были впервые выращены и подробно исследованы монокристаллы целевых фаз RTδ(Ga,Ge)3 (R = Sm, Gd-Dy, T = Cr, Mn). Методами рентгеноспектрального микроанализа и рентгеноструктурного анализа были определены составы и кристаллические структуры полученных соединений (RTxGa3-yGey, R4T1-xGa12-yGey и Sm2Mn1-xGa6-yGey). В широком диапазоне температур исследованы температурные и полевые зависимости намагниченности и теплоемкости. Было установлено наличие двух магнитных подрешеток в фазах с Mn, определены типы их магнитного упорядочения и температуры фазовых переходов. Исследовано влияние содержания Ge в фазе на магнитное поведение соединений. На основе полученных результатов установлена взаимосвязь между составом, кристаллическим строением и магнитными свойствами фаз RTδ(Ga,Ge)3 (R = Sm, Gd-Dy, а T = Cr, Mn).