Диссертация

Саитов Шамиль Рашитович

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
  
На рассмотрении в АК
  
Положительная защита
03.10.2024 
Объявление опубликовано
19.09.2024 
Принят к защите
18.09.2024 
Заключение комиссии
12.09.2024 
Документы приняты
Тема диссертации

Неравновесные электронные процессы в органических полупроводниковых композиционных материалах

ФИО соискателя
Саитов Шамиль Рашитович
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
07.11.2024 15:20
Место проведения защиты
Москва, Ленинские горы, д. 1 стр. 8, криогенный корпус, конференц-зал.
Научный руководитель
Манцевич Владимир Николаевич
Доктор наук Доцент
Оппоненты
Форш Павел Анатольевич
Доктор наук Доцент
Никитенко Владимир Роленович
Доктор наук
Гладилин Андрей Александрович
Кандидат наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
Специальность
1.3.11. Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-18-47

Диссертация посвящена исследованию электрических и фотоэлектрических свойств пленок органических и гибридных композиционных полупроводниковых материалов. Указанные свойства определяются распределением плотности локализованных электронных состояний. Для его исследования был применён метод, который позволяет определить характер и параметры этого распределения. Этот метод основан на комплексном анализе спектральных зависимостей коэффициента поглощения, полученных методом постоянного фототока, и температурной зависимости фотопроводимости. В работе было установлено, что распределение плотности состояний в фотопроводящих пленках неупорядоченных органических полупроводников описывается гауссовыми функциями. При этом хвосты плотности состояний в глубине запрещенной зоны могут подчиняться экспоненциальному распределению.

Представленная в работе методика была применена для характеризации гибридного композиционного материала, представляющего собой нанопластинки CdSe, внедрённые в фотопроводящую полимерную матрицу. Данные, полученные в результате применения этого метода, позволили определить влияние внедрения указанных наночастиц на плотность распределения электронных состояний в исходном фотопроводящем полимере в составе пленки полученного двухфазного композиционного материала. В результате измерений электрических и фотоэлектрических свойств полученного композиционного материала было установлено, что внедрение нанопластинок в объем полимерной пленки приводит к увеличению фотопроводимости за счет разделения носителей заряда на границе раздела фаз и создания канала переноса носителей заряда по нанопластинкам. Вклад механизма переноса носителей заряда по нанопластинкам определяется концентрацией этих носителей и объемной долей неорганической фазы в композиционном материале в целом.