Диссертация

Потёмкин Фёдор Викторович

Доктор наук

Статус диссертации

29.11.2023 
Диплом Доктор наук
20.11.2023 
Решение о выдаче диплома
17.11.2023 
Положительное заключение АК
23.10.2023 
На рассмотрении в АК
14.09.2023 
Положительная защита
29.06.2023 
Объявление опубликовано
22.06.2023 
Принят к защите
21.06.2023 
Заключение комиссии
13.06.2023 
Документы приняты
ФИО соискателя
Потёмкин Фёдор Викторович
Приказ о выдаче диплома
№ 1541 от 29.11.2023
Степень на присвоение
Доктор наук
Дата и время защиты
14.09.2023 15:00
Место проведения защиты
119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 62, корпус нелинейной оптики
Оппоненты
Гарнов Сергей Владимирович
Член - корреспондент РАН Доктор наук
Ионин Андрей Алексеевич
Доктор наук Профессор
Антипов Олег Леонидович
Доктор наук Профессор
Места выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра общей физики и волновых процессов
Специальности
1.3.19. Лазерная физика
физико-математические науки
Диссертационный совет
Учёное звание
Доцент
Телефон совета
+7 495 939-30-92

Объектом исследования являются лазерные источники ИК диапазона и нелинейный отклик среды под воздействием интенсивного лазерного излучения. Предметом исследования выступают процессы параметрического и лазерного усиления, а также нелинейно-оптические процессы, которые инициируются при взаимодействии интенсивного (более 1 ТВт/см2) лазерного излучения ближнего и среднего ИК диапазонов с конденсированными и газовыми средами. Основной целью диссертационной работы является разработка экспериментальных подходов к генерации мощных широко перестраиваемых от ближнего до среднего ИК диапазона фемтосекундных лазерных импульсов и их применение к исследованию нелинейных процессов, инициируемых в конденсированных и плотных газовых средах при интенсивности более 1 ТВт/см2. Представленные результаты получены с использованием современных экспериментальных методик и верифицированы с помощью разработанных теоретических моделей. Практическую ценность имеют предложенные подходы по созданию фемтосекундных лазерных источников в ближнем и среднем ИК диапазоне, что вместе с разработанными методами управляемого и локализованного воздействия на объём конденсированной среды, в том числе полупроводника, закладывают основу новой элементной базы для современной ИК фотоники и оптоэлектроники.