Warning: Undefined property: Dissovet\Models\Dissertation::$performed_in_place2 in /var/www/application/Models/Dissertation.php on line 354
Диссертация

Диссертация

Балакшин Юрий Викторович

Кандидат наук

Статус диссертации

27.04.2022 
Диплом Кандидат наук
18.04.2022 
Решение о выдаче диплома
25.02.2022 
Положительное заключение АК
20.01.2022 
На рассмотрении в АК
26.11.2021 
Положительная защита
21.10.2021 
Объявление опубликовано
15.10.2021 
Принят к защите
14.10.2021 
Заключение комиссии
08.10.2021 
Документы приняты
ФИО соискателя
Балакшин Юрий Викторович
Степень на присвоение
Кандидат наук
Приказ о выдаче диплома
№ 484 от 27.04.2022
Дата и время защиты
26.11.2021 17:00
Научный руководитель
Черныш Владимир Савельевич
Доктор наук Профессор
Шемухин Андрей Александрович
Кандидат наук
Оппоненты
Шведунов Василий Иванович
Доктор наук Профессор
Бачурин Владимир Иванович
Доктор наук Доцент
Борисов Анатолий Михайлович
Доктор наук Профессор
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В.Скобельцына, Отдел физики атомного ядра
Специальность
01.04.20 Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 916 871-77-50

В представленной работе объектом исследования является влияние ионного облучения на разрушение упорядоченной структуры мишени, а в качестве предмета исследования рассматривались механизмы дефектообразования в графене под действием облучения ускоренными ионами гелия и аргона при разных энергиях и флюенсах. Основные результаты, представленные в диссертационной работе, получены в рамках экспериментальных исследований в сочетании с моделированием методами бинарных атомных столкновений. В работе показано, что уменьшение энергии, приходящейся на нуклон, приводит к увеличению отличия экспериментальных и рассчитанных средних проективных пробегов и ширины профиля дефектов. Методами резерфордовского обратного рассеяния и комбинационного рассеяния света было показано влияние флюенса облучения на процесс дефектообразования. На основе спектров РОР и КРС было показано, что для ионов различных масс в кремнии наблюдается линейная зависимость количества дефектов от параметра DPA, связанная с ростом количества дефектов в диапазоне значений DPA от 0 до 0.5. При величине параметра DPA превышающей 0.5 наблюдается замедление роста количества дефектов с ростом флюенса, что может быть связано с процессом объединения локальных высокодефектных областей с последующим формированием аморфного слоя. Методами КРС было показано влияние параметров ионного облучения на этапы дефектообразования в графеновом покрытии, осажденном на медную фольгу. Результаты демонстрируют накопление точечных дефектов до значений параметра DPA 5*10-4, после чего начинается процесс объединения активных областей дефектов в высокодефектные области, и при значениях параметра DPA 10-2 происходит разрушение порядка в расположении атомов углерода с переходом в фазу аморфного углерода.

# Название Размер