Диссертация
Васильев Роман Борисович
Доктор наук
Статус диссертации
Член - корреспондент РАН Доктор наук Профессор
Разумов Владимир Федорович
Член - корреспондент РАН Доктор наук
Пономаренко Сергей Анатольевич
Член - корреспондент РАН Доктор наук
02.00.01 Неорганическая химия
химические науки
Настоящая работа посвящена полупроводниковым наноструктурам соединений АIIВVI, включающим полупроводниковые наночастицы различной морфологии, наноструктуры полупроводник/полупроводник и гибридные атомно-тонкие наноструктуры [Cdn+1EnL2]. Целью работы является разработка физико-химических основ направленного формирования указанных полупроводниковых наноструктур с контролируемыми границами раздела полупроводник/полупроводник и полупроводник/лиганд в коллоидных системах и определение взаимосвязи их размеров, состава/структуры и оптических свойств. В результате выполнения работы разработаны физико-химические основы формирования в коллоидных системах наночастиц и наноструктур полупроводник/полупроводник бинарных соединений A2B6 с заданными размерами, составом, кристаллической структурой, характером гетероконтакта и морфологией в системе ацетат кадмия (цинка) – октадецен – олеиновая кислота. Обнаружена и идентифицирована полоса с переносом заряда с коэффициентом поглощения в диапазоне 10-3 – 10-4 М-1см-1 и уширением 100-250 мэВ в спектрах поглощения коллоидных наноструктур CdSe/CdTe, CdS/ZnSe, CdTe/CdSe с гетеропереходом типа II. Разработаны физико-химические основы коллоидного синтеза атомно-тонких наноструктур [Cdn+1EnL2]¥ с заданными латеральными размерами, составом, кристаллической структурой и прецизионно (с точностью 1 монослой) заданной толщиной в диапазоне 0.6-1.5 нм. Обнаружена тонкая структура поглощения с размерно-зависимыми экситонными полосами, отвечающими электронным переходам на границе двумерной зоны Бриллюэна в точках, отличных от точки Г. Обнаружен эффект спонтанного сворачивания коллоидных гибридных наноструктур [Cdn+1EnL2]¥, где E = Se или Te, связанный с прецизионным контролем границы полупроводник/лиганд. Предложена модель спонтанного сворачивания за счет деформации сжатия или растяжения на границе полупроводник/лиганд, вызванной рассогласованием параметра кристаллической структуры базальной катион-терминированной плоскости (001) и размера посадочного места головной группы карбоксилат- и тиолат-лигандов.
# | Название | Размер |
---|