Warning: Undefined property: Dissovet\Models\Dissertation::$performed_in_place2 in /var/www/application/Models/Dissertation.php on line 354
Диссертация

Диссертация

Обронова Светлана Германовна

Кандидат наук

Статус диссертации

12.11.2021 
Диплом Кандидат наук
25.10.2021 
Решение о выдаче диплома
08.10.2021 
Положительное заключение АК
06.09.2021 
На рассмотрении в АК
10.06.2021 
Положительная защита
29.04.2021 
Объявление опубликовано
22.04.2021 
Принят к защите
21.04.2021 
Заключение комиссии
14.04.2021 
Документы приняты
ФИО соискателя
Обронова Светлана Германовна
Степень на присвоение
Кандидат наук
Приказ о выдаче диплома
№ 1172 от 12.11.2021
Дата и время защиты
10.06.2021 15:00
Научный руководитель
Хохлов Дмитрий Ремович
Член - корреспондент РАН Доктор наук Профессор
Галеева Александра Викторовна
Кандидат наук
Оппоненты
Аронзон Борис Аронович
Доктор наук
Васильевский Иван Сергеевич
Доктор наук
Каган Мирон Соломонович
Доктор наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра общей физики и физики конденсированного состояния
Специальность
01.04.10 Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-18-47

Диссертация посвящена исследованию поверхностных состояний в материалах с топологическими свойствами: 3D топологических изоляторах (ТИ) на основе Bi2Se3 и топологических кристаллических изоляторах (ТКИ) Pb1-xSnxSe. Применение подхода, основанного на комбинированном воздействии терагерцового излучения и магнитного поля, позволило выявить ряд особенностей неравновесных процессов в исследованных объектах. В работе предложен метод исследования поверхностных электронных состояний, основанный на изучении фотоэлектромагнитного (ФЭМ) эффекта, индуцированного терагерцовым излучением. Показано, что данный метод не чувствителен к объемной проводимости. Исследование ФЭМ эффекта в твердых растворах на основе 3D ТИ (Bi1-xInx)2Se3 и ТКИ Pb1-xSnxSe показало, что как в тривиальной, так и в топологической фазе подвижность поверхностных носителей превышает подвижность в объеме образца. Это указывает на то, что подвижность поверхностных носителей в существенной степени определяется поверхностными состояниями нетопологической природы. В работе показано, что состояния, ответственные за высокие подвижности поверхностных носителей в пленках PbSe, не связаны с окислением поверхности. Важно отметить, что зависимость амплитуды ФЭМ эффекта от мощности падающего излучения качественно различается в тривиальной и топологической фазе твердых растворов (Bi1-xInx)2Se3. Возможной причиной обнаруженных различий может быть влияние спиновой поляризации на характерные времена релаксации неравновесных носителей.

# Название Размер