Warning: Undefined property: Dissovet\Models\Dissertation::$performed_in_place2 in /var/www/application/Models/Dissertation.php on line 354
Диссертация

Диссертация

Сычева Анастасия Александровна

Кандидат наук

Статус диссертации

09.04.2021 
Диплом Кандидат наук
29.03.2021 
Решение о выдаче диплома
19.03.2021 
Положительное заключение АК
14.12.2020 
На рассмотрении в АК
18.11.2020 
Положительная защита
08.10.2020 
Объявление опубликовано
07.10.2020 
Принят к защите
05.10.2020 
Заключение комиссии
01.10.2020 
Документы приняты
ФИО соискателя
Сычева Анастасия Александровна
Степень на присвоение
Кандидат наук
Приказ о выдаче диплома
№ 298 от 09.04.2021
Дата и время защиты
18.11.2020 15:00
Научный руководитель
Рахимов Александр Турсунович
Доктор наук Профессор
Оппоненты
Амиров Ильдар Искандерович
Доктор наук
Александров Николай Леонидович
Доктор наук Профессор
Кочетов Игорь Валерианович
Кандидат наук Старший научный сотрудник
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В.Скобельцына, Отдел микроэлектроники
Специальность
01.04.15 Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7495 939-5606; +7495 939-4093

В настоящее время большой интерес для современной микроэлектроники вызывает изучение воздействия ионов низких энергий на нанопористые low-k диэлектрики, применяемые в качестве межслойных изоляторов при производстве сверхбольших интегральных схем. Основной целью данной диссертационной работы является исследование особенностей физического распыления нанопористых материалов ионами инертных газов низких энергий и структурных изменений, происходящих в таких материалах под действием ионов. В работе с использованием метода классической молекулярной динамики исследовано влияние типа и энергии налетающих частиц и особенностей структуры нанопористых материалов (в первую очередь пористости и радиуса пор) на процесс физического распыления данных материалов. Показано, что в области низких энергий воздействие ионов на нанопористые структуры может сопровождаться не только их физическим распылением, но и образованием сплошного приповерхностного слоя, появление которого препятствует проникновению активных радикалов плазмы вглубь материала. Представленные результаты могут быть использованы для создания методов повышения стойкости нанопористых low-k диэлектриков к воздействию плазмы, что может оптимизировать технологию бездефектного воздействия на них плазмы при производстве интегральных схем.

# Название Размер