Warning: Undefined property: Dissovet\Models\Dissertation::$performed_in_place2 in /var/www/application/Models/Dissertation.php on line 326
Диссертация

Диссертация

Васильев Роман Борисович

Доктор наук

Статус диссертации

27.04.2022 
Диплом Доктор наук
18.04.2022 
Решение о выдаче диплома
25.03.2022 
Положительное заключение АК
02.03.2022 
На рассмотрении в АК
03.12.2021 
Положительная защита
18.09.2021 
Объявление опубликовано
03.09.2021 
Принят к защите
31.08.2021 
Заключение комиссии
01.07.2021 
Документы приняты
ФИО соискателя
Васильев Роман Борисович
Степень на присвоение
Доктор наук
Приказ о выдаче диплома
№ 484 от 27.04.2022
Дата и время защиты
03.12.2021 15:00
Оппоненты
Иванов Владимир Константинович
Член - корреспондент РАН Доктор наук Профессор
Разумов Владимир Федорович
Член - корреспондент РАН Доктор наук
Пономаренко Сергей Анатольевич
Член - корреспондент РАН Доктор наук
Ученое звание
Доцент
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Химический факультет, Кафедра неорганической химии
Специальность
02.00.21 Химия твердого тела
02.00.01 Неорганическая химия
химические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-46-09

Настоящая работа посвящена полупроводниковым наноструктурам соединений АIIВVI, включающим полупроводниковые наночастицы различной морфологии, наноструктуры полупроводник/полупроводник и гибридные атомно-тонкие наноструктуры [Cdn+1EnL2]. Целью работы является разработка физико-химических основ направленного формирования указанных полупроводниковых наноструктур с контролируемыми границами раздела полупроводник/полупроводник и полупроводник/лиганд в коллоидных системах и определение взаимосвязи их размеров, состава/структуры и оптических свойств. В результате выполнения работы разработаны физико-химические основы формирования в коллоидных системах наночастиц и наноструктур полупроводник/полупроводник бинарных соединений A2B6 с заданными размерами, составом, кристаллической структурой, характером гетероконтакта и морфологией в системе ацетат кадмия (цинка) – октадецен – олеиновая кислота. Обнаружена и идентифицирована полоса с переносом заряда с коэффициентом поглощения в диапазоне 10-3 – 10-4 М-1см-1 и уширением 100-250 мэВ в спектрах поглощения коллоидных наноструктур CdSe/CdTe, CdS/ZnSe, CdTe/CdSe с гетеропереходом типа II. Разработаны физико-химические основы коллоидного синтеза атомно-тонких наноструктур [Cdn+1EnL2]¥ с заданными латеральными размерами, составом, кристаллической структурой и прецизионно (с точностью 1 монослой) заданной толщиной в диапазоне 0.6-1.5 нм. Обнаружена тонкая структура поглощения с размерно-зависимыми экситонными полосами, отвечающими электронным переходам на границе двумерной зоны Бриллюэна в точках, отличных от точки Г. Обнаружен эффект спонтанного сворачивания коллоидных гибридных наноструктур [Cdn+1EnL2]¥, где E = Se или Te, связанный с прецизионным контролем границы полупроводник/лиганд. Предложена модель спонтанного сворачивания за счет деформации сжатия или растяжения на границе полупроводник/лиганд, вызванной рассогласованием параметра кристаллической структуры базальной катион-терминированной плоскости (001) и размера посадочного места головной группы карбоксилат- и тиолат-лигандов.

# Название Размер