Диссертация

Тема диссертации

Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией

ФИО соискателя

Дагесян Саркис Арменакович

Степень на присвоение

Кандидат наук

Приказ о выдаче диплома

№ 1559 от 22.12.2017

Дата и время защиты

23.11.2017 16:30

Научный руководитель

Солдатов Евгений Сергеевич
Кандидат наук

Оппоненты

Лукичев Владимир Федорович
Член - корреспондент РАН Доктор наук
Куприянов Михаил Юрьевич
Доктор наук Профессор
Фионов Александр Сергеевич
Кандидат наук

Место выполнения работы

Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники

Специальность

01.04.04 Физическая электроника
физико-математические науки

Диссертационный совет

МГУ.013.7

Телефон совета

+7 495 939-25-47

Диссертационная работа посвящена разработке лабораторных методик создания планарных одноэлектронных транзисторов на основе одиночных малых наночастиц золота размером 2 – 4 нм и одиночных примесных атомов фосфора в кристаллической решётке кремния, обладающих высокой зарядовой энергией, а также экспериментальному исследованию электронного транспорта через созданные структуры при различных, в том числе высоких для одноэлектронных эффектов, температурах от 4.2 до 300 К.

#	Название	Размер

Диссертация

Дагесян Саркис Арменакович

Кандидат наук

Статус диссертации

Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией