Диссертация

Гартман Александра Дмитриевна

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
  
На рассмотрении в АК
  
Положительная защита
29.06.2023 
Объявление опубликовано
23.06.2023 
Принят к защите
21.06.2023 
Заключение комиссии
17.06.2023 
Документы приняты
ФИО соискателя
Гартман Александра Дмитриевна
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
05.10.2023 16:30
Место проведения защиты
119991, ГСП-1, г. Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Научный руководитель
Федянин Андрей Анатольевич
Профессор РАН Доктор наук Профессор
Оппоненты
Тихонова Ольга Владимировна
Доктор наук Профессор
Шерстюк Наталия Эдуардовна
Доктор наук Доцент
Пикулин Александр Викторович
Кандидат наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра нанофотоники
Специальность
1.3.6. Оптика
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-30-91

Диссертационная работа посвящена разработке и созданию оптических кремниевых метаповерхностей для пространственного разделения световых пучков с различными значениями орбитального углового момента, а также волноводных структур на основе резонансных наночастиц из кремния и нитрида кремния для эффективной оптической связи с излучателями в тонких пленках прямозонных полупроводников. В первой оригинальной главе разработан оптимальный дизайн кремниевой резонансной метаповерхности и продемонстрировано разделение скальных пучков типа Лаггера — Гаусса с разными значениями орбитальных угловых моментов в пространстве. Результаты данной главы могут найти применение в квантовой криптографии для создания надежных каналов связи и передачи данных. Во второй и третьей оригинальных главах численно и экспериментально продемонстрировано усиление связи межслоевых экситонов в тонких пленках InSe и гетероструктурах, состоящих из монослоя MoSe2 и монослоя WSe2 с резонансными волноводными системами на основе кремния и нитрида кремния. Результаты данных глав могут быть применены для создания устройств, реализованных на компактной интегральной платформе.