Диссертация

Крылов Иван Владимирович

Кандидат наук

Статус диссертации

02.12.2019 
Диплом Кандидат наук
25.11.2019 
Решение о выдаче диплома
04.10.2019 
Положительное заключение АК
04.09.2019 
На рассмотрении в АК
20.06.2019 
Положительная защита
16.05.2019 
Объявление опубликовано
19.04.2019 
Принят к защите
18.04.2019 
Заключение комиссии
17.04.2019 
Документы приняты
Тема диссертации

Механизмы проводимости и фотоэлектрические эффекты в композитных структурах на основе полупроводниковых оксидов с фотосенсибилизаторами

ФИО соискателя
Крылов Иван Владимирович
Степень на присвоение
Кандидат наук
Приказ о выдаче диплома
№ 1487 от 02.12.2019
Дата защиты
20.06.2019
Научный руководитель
Хохлов Дмитрий Ремович
Член - корреспондент РАН Доктор наук Профессор
Дроздов Константин Андреевич
Кандидат наук
Оппоненты
Аронзон Борис Аронович
Доктор наук
Васильевский Иван Сергеевич
Доктор наук
Кузнецова Татьяна Александровна
Кандидат наук
Место выполнения работы
,
Второе место выполнения работы
Специальность
01.04.10 Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
МГУ.013.5
Телефон совета
+7 495 939-18-47

Диссертация посвящена исследованию транспортных, оптических и фотоэлектрических свойств композитных структур на основе нанокристаллических полупроводниковых оксидов ZnO, SnO2, In2O3 с различными фотосенсибилизаторами. В качестве фотосенсибилизаторов были выбраны коллоидные нанокристаллы CdSe и металлорганические комплексы Ru(II). Рассматривалось влияние легирования на спектральные зависимости на примере In2O3(Sn).

# Название Размер