Диссертация

Григорьева Людмила Николаевна

Кандидат наук

Статус диссертации

  
Диплом Кандидат наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
08.06.2023 
На рассмотрении в АК
16.03.2023 
Положительная защита
03.02.2023 
Объявление опубликовано
26.01.2023 
Принят к защите
24.01.2023 
Заключение комиссии
12.01.2023 
Документы приняты
ФИО соискателя
Григорьева Людмила Николаевна
Степень на присвоение
Кандидат наук
Дата и время защиты
16.03.2023 15:20
Место проведения защиты
119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 8, корпус кафедры физики низких температур и сверхпроводимости, конференц-зал
Научный руководитель
Форш Павел Анатольевич
Доктор наук Доцент
Оппоненты
Кульбачинский Владимир Анатольевич
Доктор наук Профессор
Володин Владимир Алексеевич
Доктор наук Доцент
Целиков Глеб Игоревич
Кандидат наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра общей физики и молекулярной электроники
Специальность
1.3.11. Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-18-47

В диссертационной работе представлены результаты исследования структурных, оптических и фотоэлектрических свойств систем множественных полупроводниковых квантовых ям GaAs/AlGaAs и микрочастиц карбида кремния (SiC), полученных оригинальным способом синтеза – пиролизом органосилана C12H36Si6 при высоком давлении и в интервале высоких температур, а также создания на основе таких гетероструктур и микрочастиц гибридных фотодетекторов среднего ИК-диапазона. В данной работе впервые показана возможность увеличения взаимодействия электромагнитного поля падающей волны с электронной подсистемой структуры с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs за счет использования ближнего поля фонон-поляритонного резонанса микрочастиц SiC, нанесенных на поверхность структуры. Используемый подход является оригинальной альтернативой уже известным методам создания сложных металлических или диэлектрических резонаторов. В ходе работы, в частности, путем численного моделирования было показано, что за счет взаимодействия электромагнитного поля с микронной частицей полярного кристалла SiC на поверхности структуры с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в ее ближней зоне происходит поворот направления напряженности электрического поля. В результате этого появляется компонента электрического поля, направленная вдоль оси роста квантовых ям, и это приводит к тому, что ближнее поле микрочастицы SiC эффективно взаимодействует с верхними квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. Установлено, что использование микрочастиц SiC позволяет приблизительно в 2 раза увеличить чувствительность фотоприемного устройства на основе квантовых ям GaAs/AlGaAs к электромагнитному излучению. Полученные экспериментальные результаты закладывают основу для создания гибридных фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона, в которых реализована резонансная ближнепольная связь между локализованным фонон-поляритоном и электронной подсистемой полупроводниковых квантовых ям.

# Название Размер
1 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 427 KB
2 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 103 KB
3 Автореферат 1 MB
4 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 649 KB
5 Отзыв научного руководителя (консультанта) 92 KB
6 Заключение по диссертации 146 KB
7 Сведения об официальных оппонентах, включая публикации 182 KB
8 Сведения о научных руководителях (консультантах) 168 KB
9 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 643 KB
10 Диссертация 4 MB
11 Протокол приема диссертации к защите 58 KB
12 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 318 KB
13 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 629 KB
14 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 372 KB
15 Дополнительный отзыв на диссертацию или реферат 649 KB
16 Отзыв официального оппонента 1 MB
17 Отзыв официального оппонента 2 MB
18 Отзыв официального оппонента 976 KB