Warning: Undefined property: Dissovet\Models\Dissertation::$performed_in_place2 in /var/www/application/Models/Dissertation.php on line 326
Диссертация

Диссертация

Савин Константин Антонович

Кандидат наук

Статус диссертации

07.04.2023 
Диплом Кандидат наук
20.03.2023 
Решение о выдаче диплома
17.03.2023 
Положительное заключение АК
12.01.2023 
На рассмотрении в АК
20.10.2022 
Положительная защита
09.09.2022 
Объявление опубликовано
14.07.2022 
Принят к защите
13.07.2022 
Заключение комиссии
01.07.2022 
Документы приняты
ФИО соискателя
Савин Константин Антонович
Степень на присвоение
Кандидат наук
Приказ о выдаче диплома
№ 405 от 07.04.2023
Дата и время защиты
20.10.2022 15:00
Место проведения защиты
119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 8, криогенный корпус, конференц-зал
Научный руководитель
Форш Павел Анатольевич
Доктор наук Доцент
Оппоненты
Трахтенберг Леонид Израйлевич
Доктор наук Профессор
Козюхин Сергей Александрович
Доктор наук Доцент
Минниханов Антон Анурович
Кандидат наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра общей физики и молекулярной электроники
Специальность
1.3.11. Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-18-47

Диссертационная работа посвящена исследованию проводимости и фотопроводимости композитного материала, состоящего из полимера поли 3-гексилтиофена (P3HT) и кремниевых наночастиц (nc-Si), внедренных в него (далее – композит P3HT/nc-Si). В работе показано, что транспорт носителей заряда в композите P3HT/nc-Si происходит по локализованным состояниям полимера, распределенным по закону Гаусса. При этом кремниевые наночастицы оказывают влияние на параметры распределения электронных состояний в полимере P3HT, что приводит к изменению значений проводимости и фотопроводимости композита P3HT/nc-Si в широких пределах при изменении концентрации nc-Si. Проводимость композита P3HT/nc-Si в сильных электрических полях (больше 10 кВ/см) описывается законом Пула-Френкеля. Закон Пула-Френкеля в композите P3HT/nc-Si объясняется экспоненциальной зависимостью подвижности носителей заряда от квадратного корня из напряженности приложенного электрического поля. Фактор Пула-Френкеля зависит от объемной доли nc-Si и определяется шириной гауссиана плотности электронных состояний, по которым осуществляется транспорт носителей заряда. Продемонстрирована возможность путем варьирования концентрации наночастиц кремния изменять в широких пределах величину фотопроводимости композита P3HT/nc-Si. Увеличение фотопроводимости композита связано с повышением вероятности распада фотоиндуцированных экситонов на свободные электроны и дырки на границе P3HT и nc-Si. Практическая значимость работы состоит в показанной возможности создания фотоприемников на основе композита P3HT/nc-Si. По ряду параметров (спектральный диапазон, токовая фоточувствительность) созданные в работе лабораторные прототипы фотоприемников на основе композита P3HT/nc-Si превосходят известные аналоги на основе органических полупроводников.