Диссертация

Орешкин Андрей Иванович

Доктор наук

Статус диссертации

30.12.2020 
Диплом Доктор наук
28.12.2020 
Решение о выдаче диплома
11.12.2020 
Положительное заключение АК
24.11.2020 
На рассмотрении в АК
12.10.2020 
Положительная защита
12.08.2020 
Объявление опубликовано
14.07.2020 
Принят к защите
10.07.2020 
Заключение комиссии
01.07.2020 
Документы приняты
ФИО соискателя
Орешкин Андрей Иванович
Степень на присвоение
Доктор наук
Приказ о выдаче диплома
№ 1336 от 30.12.2020
Дата защиты
12.10.2020
Оппоненты
Гиппиус Андрей Андреевич
Доктор наук Профессор
Зотов Андрей Вадимович
Доктор наук Профессор
Ельцов Константин Николаевич
Доктор наук
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра квантовой электроники
Второе место выполнения работы
Специальность
01.04.10 Физика полупроводников
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-18-47

Диссертационная работа посвящена экспериментальному изучению с использованием метода сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии в реальном режиме времени структурных фазовых превращений поверхности в нанометровом масштабе, происходящих в области контакта полупроводник-металл, в разнообразных новых системах и материалах, таких как аморфные сплавы и тонкие органические пленки на основе молекул фуллеренов и их экзо-производных, а также определению различных механизмов и эффектов, вызывающих наблюдаемые превращения, и изучению их физической природы. Для создания хорошо упорядоченной поверхности, содержащей одну фазу, реализован метод кинетически управляемого роста двумерной структуры в системе GaN-Au. В эпитаксиально выращенной на поверхности Si(111)-7×7 пленке Bi, обнаружена аллотропная форма висмута в виде квазикубической фазы, превращение которой в структуру, типичную для объемного монокристалла Bi, происходит, когда критическая толщина покрытия превышает двадцать ангстрем. Установлено, что процесс кластеризации атомов натрия на поверхности Si(111)-7×7 определяется характером взаимодействия между индивидуальными атомами натрия и их подвижностью. Выявлена определяющая роль локализованных зарядовых состояний в формировании низкочастотной составляющей спектра туннельного тока при исследовании легированного полупроводника InAs. Осуществлен эпитаксиальный рост тонких пленок фуллерена C60 на поверхности Bi(0001)/Si(111) с параметром решетки, аналогичным параметру для плоскости (111) объемного ГЦК фуллерита. Экспериментально и теоретически продемонстрирована возможность миграции атомов фтора из молекулы фторфуллерена на поверхность кремния с течением времени. В реальном времени проанализирован распад фторфуллеренов на поверхности Cu(001), обусловленный балансом двух взаимодействий: молекула-молекула и молекула-поверхность. Выявлен структурный фазовый переход на поверхности силицена в результате адсорбции водорода. После отжига поверхности силицена, адсорбировавшего водород, происходит возврат к изначальной фазе чистого силицена. Показано, что поверхностная кристаллизация аморфных сплавов отличается от объемной вследствие возможной реконструкции поверхности и начинается при температуре значительно меньшей, чем температура объемной кристаллизации. В результате СТМ/СТС- измерений выявлены различные фазовые превращения поверхности, обусловленные выходом на нее нескольких равновесных фаз, возникающих в процессе кристаллизации объемных металлических стекол.

# Название Размер