Диссертация

Потёмкин Фёдор Викторович

Доктор наук

Статус диссертации

  
Диплом Доктор наук
  
Решение о выдаче диплома
  
Положительное заключение АК
  
На рассмотрении в АК
14.09.2023 
Положительная защита
29.06.2023 
Объявление опубликовано
22.06.2023 
Принят к защите
21.06.2023 
Заключение комиссии
13.06.2023 
Документы приняты
ФИО соискателя
Потёмкин Фёдор Викторович
Степень на присвоение
Доктор наук
Дата и время защиты
14.09.2023 15:00
Место проведения защиты
119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 62, корпус нелинейной оптики
Оппоненты
Гарнов Сергей Владимирович
Член - корреспондент РАН Доктор наук
Ионин Андрей Алексеевич
Доктор наук Профессор
Антипов Олег Леонидович
Доктор наук Профессор
Ученое звание
Доцент
Место выполнения работы
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра общей физики и волновых процессов
Специальность
1.3.19. Лазерная физика
физико-математические науки
Диссертационный совет
Телефон совета
+7 495 939-30-92

Объектом исследования являются лазерные источники ИК диапазона и нелинейный отклик среды под воздействием интенсивного лазерного излучения. Предметом исследования выступают процессы параметрического и лазерного усиления, а также нелинейно-оптические процессы, которые инициируются при взаимодействии интенсивного (более 1 ТВт/см2) лазерного излучения ближнего и среднего ИК диапазонов с конденсированными и газовыми средами. Основной целью диссертационной работы является разработка экспериментальных подходов к генерации мощных широко перестраиваемых от ближнего до среднего ИК диапазона фемтосекундных лазерных импульсов и их применение к исследованию нелинейных процессов, инициируемых в конденсированных и плотных газовых средах при интенсивности более 1 ТВт/см2. Представленные результаты получены с использованием современных экспериментальных методик и верифицированы с помощью разработанных теоретических моделей. Практическую ценность имеют предложенные подходы по созданию фемтосекундных лазерных источников в ближнем и среднем ИК диапазоне, что вместе с разработанными методами управляемого и локализованного воздействия на объём конденсированной среды, в том числе полупроводника, закладывают основу новой элементной базы для современной ИК фотоники и оптоэлектроники.